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拓米研究院(TTRI)SiNW技术
材料合成: TOMI已成功地低成本、高效率制备出硅纳米线团(SiNW),单次产出>0.5kg/批,一次产物纯度>93%。
材料分散: TOMI已成功制备高分散状态的硅纳米线分散液。
材料包覆: TOMI已成功制备高度包覆的硅碳负极,具有优异的循环性能。拓米技术:0.2C~900mAh/g。
拓米研究院(TTRI)SiNW技术
预锂化:经过化学试剂预锂化,硅纳米线表面变粗糙,首效由原有83%左右提高至约92%,循环性能保持稳定。